Rochester Electronics, LLC PN200RM

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

功率 - 最大

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 1V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 20mA, 200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45V

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant