ROCHESTER ELECTRONICS LLC RFB18N10CS

表面安装

NO

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

附加功能

CURRENT SENSING

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

JESD-30代码

R-PSFM-T5

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN TEMPERATURE SENSOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TS-001AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18A

漏极-源极导通最大电阻

0.1Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56A

DS 击穿电压-最小值

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR