Rochester Electronics LLC RFP2N12L
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RFP2N12L
2071-RFP2N12L
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: 2A, 120V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
1最小包装量--
RFP2N12L详情
Rochester Electronics LLC RFP2N12L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Drain Current-Max (ID)
2 A
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
1.75 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
5 A
DS 击穿电压-最小值
120 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RFP2N12L拓展信息
Rochester Electronics LLC
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