ROCHESTER ELECTRONICS LLC SI3456DV
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SI3456DV
2071-SI3456DV
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SI3456DV详情
ROCHESTER ELECTRONICS LLC SI3456DV重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.1A
漏极-源极导通最大电阻
0.045Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
符合RoHS标准
SI3456DV拓展信息







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