ROCHESTER ELECTRONICS LLC SPB160N04S2-03

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

端子表面处理

哑光锡

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

7

JESD-30代码

R-PSSO-G6

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

160A

漏极-源极导通最大电阻

0.0029Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

640A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR