ROCHESTER ELECTRONICS LLC VN2410M

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

端子表面处理

未说明

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-237AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.19A

漏极-源极导通最大电阻

10Ohm

DS 击穿电压-最小值

240V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

20 pF