Rohm 2SA821STPQ

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

210 V

hFEMin

120

Voltage Rating (DC)

-210 V

RoHS

Compliant

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Manufacturer Part Number

2SA821STPQ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.69

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

250 mW

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

额定电流

-30 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1 V

最大集电极电流

30 mA

转换频率

50 MHz

集电极基极电压(VCBO)

-210 V

最大耗散功率(Abs)

0.25 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

120

集电极-发射器电压-最大值

210 V

无铅

无铅