2SAR586DGTL详情
Rohm 2SAR586DGTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SAR586DGTL
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Risk Rank
7.84
Samacsys Description
PNP -80V -5.0A Medium Power Transistor: 2SAR586D is Low saturation voltage transistor for low frequency amplifier.
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
6.7 x 5.8 x 2.5mm
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum DC Collector Current
5 A
Maximum Operating Frequency
100 MHz
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3 + Tab
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-252
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
120
集电极-发射器电压-最大值
80 V
2SAR586DGTL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
Rohm
Rohm
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
Rohm
Rohm
Rohm








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