2SB1182TLQ/R
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Rohm 2SB1182TLQ/R

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型号

2SB1182TLQ/R

品牌

Rohm

utmel 编号

2078-2SB1182TLQ/R

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SB1182TLQ/R Rohm Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SB1182TLQ/R详情

Rohm 2SB1182TLQ/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements per Chip

    1

  • Dimensions

    6.5 x 7 x 2.3mm

  • Package Type

    SC-63

  • Maximum Operating Temperature

    +150 °C

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    32 V

  • Maximum DC Collector Current

    2 A

  • Maximum Operating Frequency

    100 MHz

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2SB1182TL/QR

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Risk Rank

    5.63

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铜

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极电流-最大值(IC)

    2 A

  • 最小直流增益(hFE)

    120

  • 集电极-发射器电压-最大值

    32 V

  • 环境耗散-最大值

    10 W

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2SB1182TLQ/R拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS