Rohm 2SC5825TLQ

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Reflow Temperature-Max (s)

10

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Moisture Sensitivity Levels

1

Risk Rank

8.56

Package Description

CPT3, SC-63, 3 PIN

Part Package Code

SC-63

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Part Life Cycle Code

不推荐

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SC5825TLQ

Emitter-Base Voltage

6(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

CPT

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

60(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-55C to 150C

Collector Current (DC)

3(A)

Rad Hardened

无

DC Current Gain

120@100MA@2V

Mounting

表面贴装

hFEMin

120

RoHS

Compliant

包装

卷带

JESD-609代码

e2

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn98Cu2)

最高工作温度

150 °C

最大功率耗散

1 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

频率

200(MHz)

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

1(W)

输出功率

Not Required(W)

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

200 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

3 A

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

10 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

120

集电极-发射器电压-最大值

60 V