Rohm RPT-37PB3F

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial

引脚数

2

Operating Temperature Classification

Commercial

Package Type

T-1

Operating Temp Range

-25C to 85C

Half-Intensity Angle

72(deg)

Collector Current (DC)

0.03(A)

Number of Elements

1

Collector-Emitter Sat Volt (max)

0.4(V)

Emitter-Collector Voltage (Max)

5(V)

Rad Hardened

无

Phototransistor Type

Phototransistor

Collector-Emitter Voltage

32(V)

Light Current

2000(uA)

Mounting

通孔

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Dimensions

3.8 Dia. x 5.2mm

Output Signal Type

Analogue

Pd - Power Dissipation

150 mW

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Unit Weight

0.007175 oz

Minimum Operating Temperature

- 25 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2000

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

ROHM 半导体

Maximum On-State Collector Current

30 mA

Brand

ROHM 半导体

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

32 V

Half Intensity Angle Degrees

36 deg

包装

Bulk

操作温度

-25°C ~ 85°C

系列

-

类型

Phototransistor

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-25 °C

子类别

光学探测器和传感器

最大功率耗散

150 mW

方向

顶视图

引脚数量

2

工作电源电压

32 V

极性

NPN

通道数量

1

电源电流

30 µA

功率耗散

0.15(W)

视角

72°

功率 - 最大

150 mW

镜头风格

Domed

上升时间

10000(ns)

产品类别

Phototransistors

集电极发射器电压(VCEO)

32 V

最大集电极电流

30 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

32 V

波长

800nm

峰值波长

800(nm)

暗电流

500(nA)

最大暗电流（Id）

500 nA

产品类别

Phototransistors

高度

5.2mm

直径

3.8mm

宽度

3.8 mm

长度

3.8 mm

无铅

无铅