ROHM Semiconductor 022N60

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Maximum Operating Temperature

+ 155 C

Unit Weight

0.014110 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

250

Mounting Styles

PCB 安装

Part # Aliases

9-1879657-2

Manufacturer

TE Connectivity

Brand

TE Connectivity / Holsworthy

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

RDD022N60TL

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

7.93

Drain Current-Max (ID)

2 A

系列

H4

包装

Bulk

容差

0.1 %

温度系数

15 PPM / C

电阻

88.7 Ohms

子类别

Resistors

额定功率

500 mW (1/2 W)

技术

Metal Film

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

终端样式

Axial

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

金属膜电阻器

漏极-源极导通最大电阻

6.7 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

1.4 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

-

产品类别

Metal Film Resistors - Through Hole

长度

10 mm

直径

3.7 mm