050N10
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ROHM Semiconductor 050N10

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型号

050N10

utmel 编号

2078-050N10

商品类别

无类别的

封装

4-SMD, No Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

050N10 datasheet pdf and Unclassified product details from ROHM Semiconductor stock available at utmel

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050N10 ROHM Semiconductor

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050N10详情

ROHM Semiconductor 050N10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    4-SMD, No Lead

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Strip

  • Base Product Number

    510CBA

  • 厂商

    Skyworks Solutions Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    RSD050N10TL

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Risk Rank

    7.89

  • Part Package Code

    SC-63

  • Drain Current-Max (ID)

    5 A

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 系列

    Si510

  • 尺寸/尺寸

    0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    XO (Standard)

  • 端子表面处理

    Tin/Copper (Sn98Cu2)

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 电压 - 供电

    3.3V

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 频率

    12.5 MHz

  • 频率稳定性

    ±25ppm

  • 输出量

    CMOS

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 功能

    Enable/Disable

  • 基本谐振器

    Crystal

  • 最大电流源

    26mA

  • 资历状况

    不合格

  • 电流 - 电源(禁用)(最大值)

    18mA

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 扩频带宽

    -

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.205 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    20 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    15 W

  • 绝对牵引范围 (APR)

    -

  • 座位高度(最大)

    0.050 (1.28mm)

  • 评级结果

    -

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050N10拓展信息

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