2SB1182R
2SB1182R

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ROHM Semiconductor 2SB1182R

  • 收藏
  • 对比

型号

2SB1182R

utmel 编号

2078-2SB1182R

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IN-LINE, R-PSIP-T3

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
2SB1182R
2SB1182R ROHM Semiconductor IN-LINE, R-PSIP-T3

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

2SB1182R详情

ROHM Semiconductor 2SB1182R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Terminal

    Axial

  • RoHS

  • Lifetime

    2 500 h

  • Package Description

    IN-LINE, R-PSIP-T3

  • Package Style

    IN-LINE

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2SB1182/R

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Risk Rank

    5.63

  • 操作温度

    -40...+85°C

  • 系列

    021 ASM

  • 容差

    -10/+50 %

  • JESD-609代码

    e2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铜

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 电容量

    2,2 uF

  • 螺距

    - mm

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 注意

    n/a

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 等效串联电阻

    65 Ohm

  • 集电极电流-最大值(IC)

    2 A

  • 最小直流增益(hFE)

    180

  • 集电极-发射器电压-最大值

    32 V

  • VCEsat-最大值

    0.8 V

  • 环境耗散-最大值

    10 W

  • 高度

    10 mm

  • 直径

    4,5 mm

0个相似型号

2SB1182R拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS