ROHM Semiconductor 2SB1182R
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2SB1182R详情
ROHM Semiconductor 2SB1182R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Terminal
Axial
RoHS
有
Lifetime
2 500 h
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
2SB1182/R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.63
操作温度
-40...+85°C
系列
021 ASM
容差
-10/+50 %
JESD-609代码
e2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
HTS代码
8541.29.00.75
电容量
2,2 uF
螺距
- mm
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
注意
n/a
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
等效串联电阻
65 Ohm
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
180
集电极-发射器电压-最大值
32 V
VCEsat-最大值
0.8 V
环境耗散-最大值
10 W
高度
10 mm
直径
4,5 mm
2SB1182R拓展信息








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