ROHM Semiconductor 2SB1188T100QR
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2SB1188T100QR
2078-2SB1188T100QR
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TRANSISTOR PNP DRIVER -32V -2A MPT, PK
1最小包装量--
2SB1188T100QR详情
ROHM Semiconductor 2SB1188T100QR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
质量
800g
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Dim
(L x W x H) 185 x 64 x 106 mm
Suitable for
VRLA AGM,PbCa,SLA,Lead acid,VRLA AGM,Lithium
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
2SB1188T100QR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.61
JESD-609代码
e2
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
120
集电极-发射器电压-最大值
32 V
VCEsat-最大值
0.8 V
环境耗散-最大值
2 W
特征
Battery test,Refresher/regenerator,Battery tester,Charge monitoring,Battery life protection,Suitable for start-stop systems,Multiple charging modes
宽度
64mm
高度
106mm
长度
185mm
2SB1188T100QR拓展信息







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