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ROHM Semiconductor 2SB1188T100QR

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型号

2SB1188T100QR

utmel 编号

2078-2SB1188T100QR

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR PNP DRIVER -32V -2A MPT, PK

起订量

1最小包装量--

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2SB1188T100QR详情

ROHM Semiconductor 2SB1188T100QR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 质量

    800g

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Dim

    (L x W x H) 185 x 64 x 106 mm

  • Suitable for

    VRLA AGM,PbCa,SLA,Lead acid,VRLA AGM,Lithium

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2SB1188T100QR

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Risk Rank

    5.61

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铜

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSSO-F3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 集电极电流-最大值(IC)

    2 A

  • 最小直流增益(hFE)

    120

  • 集电极-发射器电压-最大值

    32 V

  • VCEsat-最大值

    0.8 V

  • 环境耗散-最大值

    2 W

  • 特征

    Battery test,Refresher/regenerator,Battery tester,Charge monitoring,Battery life protection,Suitable for start-stop systems,Multiple charging modes

  • 宽度

    64mm

  • 高度

    106mm

  • 长度

    185mm

0个相似型号

2SB1188T100QR拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
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