ROHM Semiconductor 2SB1189T100/QR
- 收藏
- 对比
2SB1189T100/QR
2078-2SB1189T100/QR
无类别的
--
大陆
立即发货

In a Pack of 10, ROHM 2SB1189T100Q/R PNP Transistor, 700 mA, 80 V, PK
1最小包装量--
2SB1189T100/QR详情
ROHM Semiconductor 2SB1189T100/QR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Risk Rank
5.35
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
ROHM 半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
2SB1189T100/QR
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
10
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
小概要
JESD-609代码
e2
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
700 mA
集电极电流-最大值(IC)
0.7 A
最小直流增益(hFE)
120
集电极-发射器电压-最大值
80 V
VCEsat-最大值
0.4 V
2SB1189T100/QR拓展信息







哦! 它是空的。