ROHM Semiconductor 2SB1427T100U
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2SB1427T100U
2078-2SB1427T100U
集成电路(IC)
TO-243AA
大陆
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Bipolar Transistors - BJT Transisto
1最小包装量--
2SB1427T100U详情
ROHM Semiconductor 2SB1427T100U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
供应商器件包装
MPT3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SB1427T100U
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Risk Rank
5.64
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
10
Transition Frequency-Nom (fT)
90 MHz
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
Base Product Number
2SB1427
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
RoHS
Non-Compliant
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
2 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 500mA, 2V
最大集极截止电流
500nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 150mA, 1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
20 V
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
560
集电极-发射器电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
0.5 V
环境耗散-最大值
2 W
2SB1427T100U拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
Rohm
Rohm
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
Rohm
Rohm
Rohm







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