ROHM Semiconductor 2SCR572DGTL
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2SCR572DGTL
2078-2SCR572DGTL
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Trans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2 Tab) CPT T/R
--最小包装量--
2SCR572DGTL详情
ROHM Semiconductor 2SCR572DGTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Type of electrical connection of main circuit
Screw connection
Degree of protection (IP), front side
IP40
Cable entry
Side
Rated permanent current Iu
630
Type of control element
Long turning handle
Emitter-Base Voltage
6(V)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
CPT
Transistor Polarity
NPN
Collector-Base Voltage
30(V)
Category
双极电源
Operating Temp Range
-55C to 150C
Collector Current (DC)
5(A)
Number of Elements
1
Rad Hardened
无
DC Current Gain
200@500MA@3V
Mounting
表面贴装
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
300 MHz
Manufacturer Part Number
2SCR572DGTL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
7.8
包装
卷带
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
300(MHz)
引脚数量
2 +Tab
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
Single
功率耗散
10(W)
箱体转运
COLLECTOR
输出功率
Not Required(W)
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-252
集电极电流-最大值(IC)
5 A
最小直流增益(hFE)
200
集电极-发射器电压-最大值
30 V
2SCR572DGTL拓展信息







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