ROHM Semiconductor 2SCR586DGTL

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

PDG30G0100VFAJ

Approvals

CE, CSA, UL

Manufacturer

Cutler Hammer, Div of Eaton Corp

Mounting

Panel

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

6.7 x 5.8 x 2.5mm

Package Type

DPAK (TO-252)

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Maximum DC Collector Current

5 A

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Samacsys Description

NPN 80V 5.0A Medium Power Transistor: 2SCR586D is Low saturation voltage transistor for low frequency amplifier.

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

7.84

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

100 A

引脚数量

3 + Tab

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-252

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

120

集电极-发射器电压-最大值

80 V