ROHM Semiconductor 2SD1862TV2P
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2SD1862TV2P
2078-2SD1862TV2P
集成电路(IC)
3-SIP
大陆
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Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 32V 2A 3-Pin ATV T/R
1最小包装量--
2SD1862TV2P详情
ROHM Semiconductor 2SD1862TV2P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
3-SIP
供应商器件包装
ATV
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Reflow Temperature-Max (s)
10
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Package Style
IN-LINE
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
1
Risk Rank
5.82
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Part Life Cycle Code
Obsolete
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SD1862TV2P
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
Base Product Number
2SD1862
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e1
端子表面处理
锡银铜
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 2mA, 1V
最大集极截止电流
1µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
32 V
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
82
集电极-发射器电压-最大值
32 V
2SD1862TV2P拓展信息
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