2SD2687STP
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ROHM Semiconductor 2SD2687STP

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型号

2SD2687STP

utmel 编号

2078-2SD2687STP

商品类别

集成电路(IC)

封装

SC-72 Formed Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

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2SD2687STP详情

ROHM Semiconductor 2SD2687STP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    SC-72 Formed Leads

  • 供应商器件包装

    SPT

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    2SD2687STP

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Package Description

    IN-LINE, R-PSIP-T3

  • Risk Rank

    8.05

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    360 MHz

  • Emitter-Base Voltage

    6(V)

  • Operating Temperature Classification

    Military

  • Package Type

    SPT

  • Transistor Polarity

    NPN

  • Collector-Base Voltage

    15(V)

  • Category

    双极小信号

  • Operating Temp Range

    -55C to 150C

  • Collector Current (DC)

    5(A)

  • Rad Hardened

  • Mounting

    通孔

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    5 A

  • Base Product Number

    2SD2687

  • 厂商

    Rohm Semiconductor

  • Product Status

    活跃

  • 包装

    卷带

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    360(MHz)

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    0.4(W)

  • 输出功率

    Not Required(W)

  • 功率 - 最大

    400 mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    180 @ 2mA, 6V

  • 最大集极截止电流

    100nA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    500mV @ 1mA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    12 V

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.4 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    5 A

  • 最小直流增益(hFE)

    350

  • 集电极-发射器电压-最大值

    12 V

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