Rohm Semiconductor BAS116HYFHT116
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BAS116HYFHT116
2078-BAS116HYFHT116
二极管 - 整流器 - 单
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23
--最小包装量--
BAS116HYFHT116详情
Rohm Semiconductor BAS116HYFHT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
Peak Rep Rev Volt
100(V)
Peak Forward Voltage
1.25(V)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
SSD
Peak Reverse Recovery Time
3000(ns)
Maximum Forward Current
215(mA)
Operating Temp Range
-65C to 150C
Power Dissipation (Max)
250(mW)
Rad Hardened
无
Rectifier Type
开关二极管
Mounting
表面贴装
Vr - Reverse Voltage
80 V
Ir - Reverse Current
5 nA
Maximum Diode Capacitance
4 pF
Pd - Power Dissipation
250 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
If - Forward Current
215 mA
Peak Reverse Voltage
100 V
RoHS
Details
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带
子类别
Diodes & Rectifiers
引脚数量
3
配置
Single
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
5 nA @ 75 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25 V @ 150 mA
工作温度 - 结点
150°C
最大浪涌电流
4 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
80 V
平均整流电流(Io)
215mA
产品类别
Diodes - General Purpose, Power, Switching
峰值反向电流
0.005(uA)
电容@Vr, F
4pF @ 0V, 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
4(A)
恢复时间
3 us
反向恢复时间(trr)
3 μs
产品
开关二极管
Vf-正向电压
1.25 V
产品类别
Diodes - General Purpose, Power, Switching
BAS116HYFHT116拓展信息
ROHM Semiconductor
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