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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.104362
500
¥0.076738
1000
¥0.063946
2000
¥0.058665
5000
¥0.054829
10000
¥0.051003
15000
¥0.049327
50000
¥0.048505
ROHM Semiconductor BAS21HMFHT116
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- 对比
BAS21HMFHT116
2078-BAS21HMFHT116
二极管 - 整流器 - 单
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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DIODE GEN PURP 200V 200MA SSD3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BAS21HMFHT116详情
ROHM Semiconductor BAS21HMFHT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
Power Dissipation (Max)
0.25W
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.70
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
100nA @ 200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25V @ 200mA
正向电流
200mA
工作温度 - 结点
150°C Max
输出电流-最大值
0.2A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
200V
平均整流电流(Io)
200mA DC
反向恢复时间
50ns
Rep Pk反向电压-最大值
250V
电容@Vr, F
2.5pF @ 0V 1MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BAS21HMFHT116拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






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