ROHM Semiconductor BAS21HMT116

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Peak Rep Rev Volt

250(V)

Peak Forward Voltage

1.25(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

SSD

Peak Reverse Recovery Time

50(ns)

Product Depth (mm)

1.3(mm)

Maximum Forward Current

200(mA)

Rev Curr

0.1(uA)

Operating Temp Range

-55C to 150C

Power Dissipation (Max)

250(mW)

Rev Recov Time

50(ns)

Rad Hardened

无

Rectifier Type

开关二极管

Mounting

表面贴装

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BAS21HMT116

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

7.74

包装

卷带

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.70

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

二极管类型

接收电极

正向电流

200(mA)

输出电流-最大值

0.2 A

正向电压

1.25(V)

峰值反向电流

0.1(uA)

Rep Pk反向电压-最大值

250 V

峰值非恢复性浪涌电流

10(A)

反向恢复时间-最大值

0.05 µs

产品高度(mm)

0.95(mm)