ROHM Semiconductor BC857AT116
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BC857AT116
2078-BC857AT116
无类别的
0805 (2012 Metric)
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, PNP, SILICON
1最小包装量--
BC857AT116详情
ROHM Semiconductor BC857AT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
0805 (2012 Metric)
表面安装
YES
供应商器件包装
0705
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Vishay Dale 薄膜
Product Status
活跃
Base Product Number
M55342
Package
Tape & Reel (TR)
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
BC857AT116
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.54
系列
Military, MIL-PRF-55342, RM0705
操作温度
-55°C ~ 150°C
尺寸/尺寸
0.080 L x 0.050 W (2.03mm x 1.27mm)
容差
±0.1%
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±100ppm/°C
电阻
4.02 kOhms
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.15W
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
失败率
R (0.01%)
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
110
集电极-发射器电压-最大值
45 V
VCEsat-最大值
0.3 V
集电极-基极电容-最大值
4.5 pF
特征
Military, Non-Inductive
座位高度(最大)
0.033 (0.84mm)
BC857AT116拓展信息







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