ROHM Semiconductor BCX70HT116
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BCX70HT116
2078-BCX70HT116
无类别的
Axial
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
--最小包装量--
BCX70HT116详情
ROHM Semiconductor BCX70HT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Axial
表面安装
YES
供应商器件包装
Axial
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Frequency-Self-Resonant
100MHz
Inductance Frequency-Test
7.9MHz
Material-Core
Phenolic
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
125 MHz
Manufacturer Part Number
BCX70HT116
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.57
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
MS18130
包装
--
尺寸/尺寸
0.155 Dia x 0.375 L (3.94mm x 9.53mm)
容差
±10%
零件状态
Obsolete
ECCN 代码
EAR99
类型
Molded
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
Unshielded
Reach合规守则
unknown
额定电流
280mA
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
电感,电感
3.9µH
直流电阻(DCR)
2.3 Ohm Max
谐振@频率
33 @ 7.9MHz
晶体管应用
AMPLIFIER
饱和电流
--
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.2 A
最小直流增益(hFE)
180
集电极-发射器电压-最大值
45 V
VCEsat-最大值
0.3 V
集电极-基极电容-最大值
4.5 pF
特征
--
座位高度(最大)
--
评级结果
--
BCX70HT116拓展信息







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