ROHM Semiconductor BD45E265G-MTR
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BD45E265G-MTR
2078-BD45E265G-MTR
无类别的
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Voltage Detector, Aec-Q100, 2.6V, Ssop-5; Threshold Voltage:2.6V; No. Of Supervisors / Monitors:1Monitors; Supply Voltage Min:950Mv; Supply Voltage
1最小包装量--
BD45E265G-MTR详情
ROHM Semiconductor BD45E265G-MTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
供应商器件包装
D²PAK (TO-263AB)
终端数量
5
Package
Bulk
Base Product Number
HUFA75
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Product Status
活跃
Package Description
LSSOP, TSOP5/6,.11,37
Package Style
SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP5/6,.11,37
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
105 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BD45E265G-MTR
Package Code
LSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Threshold Voltage-Nom
+2.6V
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.72
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
ECCN 代码
EAR99
附加功能
2.6V AS DETECTION VOLTAGE, OPERATING VOLTAGE MIN IS 1.20V FOR -40 TO 25 DEG CELSIUS
HTS代码
8542.39.00.01
子类别
电源管理电路
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.95 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G5
资历状况
不合格
电源
1.2/10 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
0.95 V
通道数量
1
模拟 IC - 其他类型
电源支持电路
可调阈值
NO
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25mOhm @ 56A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
座位高度-最大
1.25 mm
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2000 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130 nC @ 10 V
供应电流-最大值(Isup)
0.00428 mA
漏源电压 (Vdss)
100 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
宽度
1.6 mm
长度
2.9 mm
BD45E265G-MTR拓展信息







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