ROHM Semiconductor BFS17-T116

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerSMD, Flat Leads

表面安装

YES

供应商器件包装

8-DFN (5x6)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A (Ta), 68A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

5.7W (Ta), 35.5W (Tc)

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

1000 MHz

Manufacturer Part Number

BFS17T116

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

7.54

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1080pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

NPN

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

20

场效应管特性

--

集电极-发射器电压-最大值

15 V

VCEsat-最大值

0.4 V

最高频段

超高频段

集电极-基极电容-最大值

1.5 pF

功率增益-最小值(Gp)

15 dB