ROHM Semiconductor BR24T04FVM-WGTR
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BR24T04FVM-WGTR
2078-BR24T04FVM-WGTR
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Description: EEPROM, 512X8, Serial, CMOS, PDSO8, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MSOP-8
1最小包装量--
BR24T04FVM-WGTR详情
ROHM Semiconductor BR24T04FVM-WGTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Part Package Code
MSOP
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MSOP-8
Clock Frequency-Max (fCLK)
0.4 MHz
Number of Words
512 words
Number of Words Code
512
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
VSSOP
Package Equivalence Code
TSSOP8,.16
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.002 mA
组织结构
512X8
座位高度-最大
0.9 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.000002 A
记忆密度
4096 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
MICROWIRE
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5 ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE
I2C控制字节
1010DDMR
长度
2.9 mm
宽度
2.8 mm
BR24T04FVM-WGTR拓展信息
ROHM Semiconductor
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