ROHM Semiconductor BR24T1MF-3AME2
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BR24T1MF-3AME2
2078-BR24T1MF-3AME2
存储器
8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
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MEMORY EEPROM
--最小包装量--
BR24T1MF-3AME2详情
ROHM Semiconductor BR24T1MF-3AME2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
8-SOIC (0.173, 4.40mm Width)
安装类型
表面贴装
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Automotive grade
系列
Automotive, AEC-Q100
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~85°C TA
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
附加功能
SEATED HT-CALCULATED
电压 - 供电
1.7V~5.5V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G8
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Mb 128K x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1MHz
内存格式
EEPROM
内存接口
I2C
组织结构
128KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
SERIAL
串行总线类型
I2C
写入周期时间 - 最大值
5ms
座位高度(最大)
1.71mm
宽度
4.4mm
长度
5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BR24T1MF-3AME2拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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