ROHM Semiconductor BR24T512F-WE2
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BR24T512F-WE2
2078-BR24T512F-WE2
存储器
Axial
大陆
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EEPROM Serial-I2C 512K-bit 64K x 8 1.8V/5V 8-Pin SOP Embossed T/R (Alt: BR24T512F-WE2)
1最小包装量--
BR24T512F-WE2详情
ROHM Semiconductor BR24T512F-WE2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
表面安装
YES
供应商器件包装
Axial
终端数量
8
Package Description
SOP, SOP8,.25
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
64000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOP8,.25
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BR24T512F-WE2
Clock Frequency-Max (fCLK)
0.4 MHz
Number of Words
65536 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.52
操作温度
-55°C ~ 175°C
系列
CMF
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.090 Dia x 0.240 L (2.29mm x 6.10mm)
容差
±0.25%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
零件状态
活跃
终止次数
2
温度系数
±50ppm/°C
电阻
187 kOhms
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.5W, 1/2W
子类别
EEPROMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
失败率
--
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
1.8/5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.0045 mA
组织结构
64KX8
座位高度-最大
1.71 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.000003 A
记忆密度
524288 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
I2C
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5 ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE
I2C控制字节
1010DDDR
特征
Flame Retardant Coating, Moisture Resistant, Safety
座位高度(最大)
--
宽度
4.4 mm
长度
5 mm
BR24T512F-WE2拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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