ROHM Semiconductor BR24T64NUX-WGTR
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BR24T64NUX-WGTR
2078-BR24T64NUX-WGTR
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EEPROM Serial-I2C 64K-bit 8K x 8 1.8V/5V 8-Pin VSON Embossed T/R (Alt: BR24T64NUX-WGTR)
1最小包装量--
BR24T64NUX-WGTR详情
ROHM Semiconductor BR24T64NUX-WGTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
8
终端数量
8
Package Style
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Part Number
BR24T64NUX-WGTR
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Part Package Code
SOIC
Package Description
2 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, VSON-8
Risk Rank
5.59
Clock Frequency-Max (fCLK)
0.4 MHz
Number of Words
8192 words
Number of Words Code
8000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
HVSON
Package Equivalence Code
SOLCC8,.11,20
Package Shape
RECTANGULAR
RoHS
Non-Compliant
无铅代码
有
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-N8
资历状况
不合格
电源
1.8/5 V
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.002 mA
组织结构
8KX8
座位高度-最大
0.6 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.000002 A
记忆密度
65536 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
MICROWIRE
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5 ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE
电压 - 供电 (最大值)
5.5 V
电压 - 供电 (最小值)
1.7 V
I2C控制字节
1010DDDR
宽度
2 mm
长度
3 mm
BR24T64NUX-WGTR拓展信息
ROHM Semiconductor
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