ROHM Semiconductor BR25H010FVT-WCE2

表面安装

YES

终端数量

8

RoHS

Non-Compliant

Package Description

TSSOP, TSSOP8,.25

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Number of Words Code

128

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP8,.25

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BR25H010FVT-WCE2

Clock Frequency-Max (fCLK)

5 MHz

Number of Words

128 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

TSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.75

Usage Level

Automotive grade

子类别

EEPROMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

3/5 V

温度等级

AUTOMOTIVE

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.003 mA

组织结构

128X8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.00001 A

记忆密度

1024 bit

筛选水平

AEC-Q100

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

SPI

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5 ms

数据保持时间

40

写入保护

HARDWARE

宽度

3 mm

长度

4.4 mm