ROHM Semiconductor BR25L640F-W
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BR25L640F-W
2078-BR25L640F-W
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0805 (2012 Metric)
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BR25L640F-W详情
ROHM Semiconductor BR25L640F-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Surface Mount, MLCC
包装/外壳
0805 (2012 Metric)
表面安装
YES
终端数量
8
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
VJ0805
厂商
Vishay Vitramon
Product Status
活跃
Voltage Rated
50V
Package Description
LSOP, SOP8,.25
Package Style
SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
Number of Words Code
8000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOP8,.25
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BR25L640F-W
Clock Frequency-Max (fCLK)
5 MHz
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
LSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.71
Part Package Code
SOIC
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
VJ HIFREQ
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
容差
±0.1pF
JESD-609代码
e2
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
温度系数
C0G, NP0
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
应用
RF, Microwave, High Frequency
HTS代码
8542.32.00.51
电容量
5.1 pF
子类别
EEPROMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
引线间距
-
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
2/5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.8 V
操作模式
SYNCHRONOUS
引线样式
-
电源电流-最大值
0.003 mA
组织结构
8KX8
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.000002 A
记忆密度
65536 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
SPI
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5 ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
特征
High Q, Low Loss
座位高度(最大)
-
宽度
4.4 mm
长度
5 mm
厚度(最大)
0.057 (1.45mm)
评级结果
-
BR25L640F-W拓展信息







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