ROHM Semiconductor BR35H640FVT-WCE2

表面安装

YES

终端数量

8

Data Retention

40

Operating Temperature Classification

汽车

Operating Temp Range

-40C to 125C

Operating Temperature (Min.)

-40C

Programmable

有

Mounting

表面贴装

Operating Temperature (Max.)

125C

Operating Supply Voltage (Min)

2.5(V)

Operating Supply Voltage (Typ)

3.3/5(V)

Rad Hardened

无

Operating Supply Voltage (Max)

5.5(V)

Package Type

TSSOP-B

Interface Type

Serial (SPI)

Package Description

TSOP1, TSSOP8,.25

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Number of Words Code

8000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP8,.25

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BR35H640FVT-WCE2

Clock Frequency-Max (fCLK)

5 MHz

Number of Words

8192 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

TSOP1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

8.61

Part Package Code

SOIC

包装

卷带

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

频率

5(MHz)

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

3/5 V

温度等级

AUTOMOTIVE

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.0055 mA

组织结构

8Kx8

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

密度

65536(Bit)

待机电流-最大值

0.00001 A

记忆密度

65536 bit

访问时间（最大）

70(ns)

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

编程电压

2.5 TO 5.5

串行总线类型

SPI

耐力

300000 Write/Erase Cycles

数据保持时间

20

写入保护

无

供应电流

5.5(mA)

宽度

3 mm

长度

4.4 mm