ROHM Semiconductor BR93A66F-WE2

表面安装

YES

终端数量

8

Voltage, Rating

150 V

Part Package Code

SOIC

Risk Rank

5.38

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer

ROHM 半导体

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

LSOP

Supply Voltage-Nom (Vsup)

4 V

Number of Words

256 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

2 MHz

Manufacturer Part Number

BR93A66F-WE2

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

105 °C

Reflow Temperature-Max (s)

10

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Equivalence Code

SOP8,.25

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

256

Package Style

SMALL OUTLINE, LOW PROFILE

Package Description

LEAD FREE, SOP-8

容差

1 %

JESD-609代码

e2

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50 ppm/°C

电阻

642 kΩ

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

额定功率

125 mW

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

3/5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.0045 mA

组织结构

256X16

座位高度-最大

1.6 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.000002 A

记忆密度

4096 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

MICROWIRE

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5 ms

数据保持时间

40

写入保护

SOFTWARE

高度

650 µm

长度

5 mm

宽度

4.4 mm