ROHM Semiconductor BR93C46-WDW6TP

安装类型

表面贴装

包装/外壳

119-BGA

表面安装

YES

供应商器件包装

119-PBGA (14x22)

终端数量

8

Package

Tray

Base Product Number

CY7C1062

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Package Description

TSSOP, TSSOP8,.25

Package Style

小概要

Number of Words Code

512

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP8,.25

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BR93C46-WDW6TP

Clock Frequency-Max (fCLK)

2 MHz

Number of Words

512 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

TSSOP

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

ROHM 半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.78

Part Package Code

TSSOP

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

3/5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

内存大小

16Mbit

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.002 mA

访问时间

10 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512X2

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

2

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

待机电流-最大值

0.000005 A

记忆密度

1024 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

MICROWIRE

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5 ms

数据保持时间

40

写入保护

SOFTWARE

组织的记忆

512K x 32

宽度

3 mm

长度

4.4 mm