ROHM Semiconductor BR93C76-WMN7TP
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BR93C76-WMN7TP
2078-BR93C76-WMN7TP
存储器
4-SMD, No Lead
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EEPROM MICROWIRE 8K BIT 512X16 3.3V/5V 8PIN
1最小包装量--
BR93C76-WMN7TP详情
ROHM Semiconductor BR93C76-WMN7TP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
终端数量
8
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
SiTime
Product Status
活跃
Package Description
SOP, SOP8,.25
Package Style
小概要
Number of Words Code
8000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOP8,.25
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
105 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BR93C76-WMN7TP
Clock Frequency-Max (fCLK)
2 MHz
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.79
Part Package Code
SOIC
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SiT8208
尺寸/尺寸
0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)
JESD-609代码
e3/e2
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
XO (Standard)
端子表面处理
TIN/TIN COPPER
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
EEPROMs
技术
CMOS
电压 - 供电
1.8V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
频率
33.6 MHz
频率稳定性
±10ppm
输出量
LVCMOS, LVTTL
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
MEMS
最大电流源
31mA
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
3/5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.5 V
电流 - 电源(禁用)(最大值)
10µA
操作模式
SYNCHRONOUS
扩频带宽
-
电源电流-最大值
0.002 mA
组织结构
8KX1
座位高度-最大
1.75 mm
内存宽度
1
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
8192 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
绝对牵引范围 (APR)
-
串行总线类型
MICROWIRE
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5 ms
数据保持时间
40
写入保护
SOFTWARE
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
宽度
3.9 mm
长度
4.9 mm
评级结果
-
BR93C76-WMN7TP拓展信息
ROHM Semiconductor
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