Rohm Semiconductor BR93G46FVT-3BGE2

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-TSSOP-B

终端数量

8

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Base Product Number

BR93G46

Operating Temperature (Max.)

85C

Operating Temperature Classification

Industrial

Package Type

TSSOP-B

Operating Temp Range

-40C to 85C

Interface Type

Serial (3-Wire)

Data Retention

40

Operating Supply Voltage (Max)

5.5(V)

Operating Supply Voltage (Typ)

1.8/2.5/3.3/5(V)

Rad Hardened

无

Operating Supply Voltage (Min)

1.7(V)

Operating Temperature (Min.)

-40C

Programmable

有

Mounting

表面贴装

Maximum Clock Frequency

3 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

5.5 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Active Read Current - Max

3 mA

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

BR93G46FVT-3B

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

RoHS

Details

Package Description

TSSOP,

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Number of Words Code

64

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BR93G46FVT-3BGE2

Clock Frequency-Max (fCLK)

3 MHz

Number of Words

64 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

TSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

2.28

系列

-

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

包装

卷带

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

IT ALSO OPERATES AT 1MHZ AT 1.7 MIN

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

1.7V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.65 mm

Reach合规守则

compliant

频率

3(MHz)

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

工作电源电压

1.7 V to 5.5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

1Kbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

3 MHz

电源电流-最大值

3 mA

内存格式

EEPROM

内存接口

Microwire

组织结构

64x16

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

产品类别

EEPROM

密度

1024(Bit)

记忆密度

1024 bit

访问时间（最大）

200(ns)

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

编程电压

1.7 TO 5.5

串行总线类型

3-WIRE

写入周期时间 - 最大值

5 ms

写入保护

有

供应电流

3(mA)

产品类别

EEPROM

组织的记忆

64 x 16

宽度

3 mm

长度

4.4 mm