ROHM Semiconductor BR93G56FJ-3BGTE2
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BR93G56FJ-3BGTE2
2078-BR93G56FJ-3BGTE2
无类别的
Axial
大陆
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EEPROM Serial-Microwire 2K-bit 128 x 16 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP-J T/R
--最小包装量--
BR93G56FJ-3BGTE2详情
ROHM Semiconductor BR93G56FJ-3BGTE2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
表面安装
YES
供应商器件包装
Axial
终端数量
8
Package Description
LSOP,
Package Style
SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
Number of Words Code
128
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BR93G56FJ-3BGTE2
Clock Frequency-Max (fCLK)
3 MHz
Number of Words
128 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
LSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.44
操作温度
-55°C ~ 175°C
系列
CMF
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
0.090 Dia x 0.240 L (2.29mm x 6.10mm)
容差
±1%
零件状态
活跃
终止次数
2
温度系数
±100ppm/°C
电阻
2.15 kOhms
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.5W, 1/2W
附加功能
SEATED HT-CALCULATED, ALSO AVAILABLE 2.5V-4.5V OPERATES WITH 2MHZ, 1.7V-2.5V OPERATES WITH 1MHZ
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G8
失败率
--
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
128X16
座位高度-最大
1.65 mm
内存宽度
16
记忆密度
2048 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
3-WIRE
写入周期时间 - 最大值
5 ms
特征
Flame Retardant Coating, Moisture Resistant, Safety
座位高度(最大)
--
宽度
3.9 mm
长度
4.9 mm
BR93G56FJ-3BGTE2拓展信息







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