ROHM Semiconductor BR93G66FVJ-3GTE2
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BR93G66FVJ-3GTE2
2078-BR93G66FVJ-3GTE2
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EEPROM Serial-Microwire 4K-bit 512 x 8/256 x 16 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP-BJ T/R
--最小包装量--
BR93G66FVJ-3GTE2详情
ROHM Semiconductor BR93G66FVJ-3GTE2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TSSOP,
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
256
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BR93G66FVJ-3GTE2
Clock Frequency-Max (fCLK)
3 MHz
Number of Words
256 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
ROHM 半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
2.28
附加功能
ALSO OPERATES AT 1.7V WITH 1MHZ AND 2.5V AT 2MHZ
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PDSO-G8
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
256X16
座位高度-最大
1.1 mm
内存宽度
16
记忆密度
4096 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
3-WIRE
写入周期时间 - 最大值
5 ms
备用内存宽度
8
宽度
3 mm
长度
3 mm
BR93G66FVJ-3GTE2拓展信息







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