ROHM Semiconductor BR93G86-3B
- 收藏
- 对比
BR93G86-3B
2078-BR93G86-3B
无类别的
--
大陆
立即发货

EEPROM Serial-Microwire 16K-bit 1K x 16 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin DIP-T Tube
--最小包装量--
BR93G86-3B详情
ROHM Semiconductor BR93G86-3B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
8
Package Description
DIP, DIP8,.3
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
1000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP8,.3
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BR93G86-3B
Clock Frequency-Max (fCLK)
3 MHz
Number of Words
1024 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
8.51
附加功能
ALSO OPERATES AT 1.7V WITH 1MHZ AND 2.5V WITH 2MHZ AND SEATED HT-CALCULATED
子类别
EEPROMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDIP-T8
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
1.8/5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.003 mA
组织结构
1KX16
座位高度-最大
4.21 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000002 A
记忆密度
16384 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
3-WIRE
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5 ms
数据保持时间
40
写入保护
SOFTWARE
宽度
7.62 mm
长度
9.3 mm
BR93G86-3B拓展信息







哦! 它是空的。