Rohm Semiconductor BR93G86FJ-3BGTE2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOP-J

终端数量

8

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Base Product Number

BR93G86

Maximum Clock Frequency

3 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 85 C

Supply Voltage-Max

5.5 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Active Read Current - Max

3 mA

Supply Voltage-Min

1.7 V

Mounting Styles

SMD/SMT

Interface Type

3-Wire

Data Retention

40 Year

Part # Aliases

BR93G86FJ-3B

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

RoHS

Details

Package Description

LSOP,

Package Style

SMALL OUTLINE, LOW PROFILE

Number of Words Code

1000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Time

未说明

Operating Temperature-Min

-40 °C

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BR93G86FJ-3BGTE2

Clock Frequency-Max (fCLK)

3 MHz

Number of Words

1024 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

LSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

2.25

系列

-

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

包装

MouseReel

附加功能

SEATED HT-CALCULATED AND ALSO OPERATES AT 1.7V WITH 1MHZ AMD 2.5V AT 2MHZ

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

1.7V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G8

工作电源电压

1.7 V to 5.5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

内存大小

16Kbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

3 MHz

电源电流-最大值

3 mA

内存格式

EEPROM

内存接口

Microwire

组织结构

1 k x 16

座位高度-最大

1.65 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

产品类别

EEPROM

记忆密度

16384 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

3-WIRE

写入周期时间 - 最大值

5 ms

产品类别

EEPROM

组织的记忆

1K x 16

宽度

3.9 mm

长度

4.9 mm