BR93H76RF-WE2
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ROHM Semiconductor BR93H76RF-WE2

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型号

BR93H76RF-WE2

utmel 编号

2078-BR93H76RF-WE2

商品类别

存储器

封装

--

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大陆

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ROHS

ECAD

简介

EEPROM Serial-Microwire 8K-bit 512 x 16 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP T/R (Alt: BR93H76RF-WE2)

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BR93H76RF-WE2 ROHM Semiconductor EEPROM Serial-Microwire 8K-bit 512 x 16 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SOP T/R (Alt: BR93H76RF-WE2)

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BR93H76RF-WE2详情

ROHM Semiconductor BR93H76RF-WE2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    111014

  • 厂商

    Molex

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    LEAD FREE, SOP-8

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, LOW PROFILE

  • Number of Words Code

    512

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    SOP8,.25

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    10

  • Operating Temperature-Max

    125 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BR93H76RF-WE2

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    1.25 MHz

  • Number of Words

    512 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    4 V

  • Package Code

    LSOP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Risk Rank

    5.4

  • Part Package Code

    SOIC

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Copper (Sn/Cu)

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 子类别

    EEPROMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 电源

    3/5 V

  • 温度等级

    AUTOMOTIVE

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.0045 mA

  • 组织结构

    512X16

  • 座位高度-最大

    1.6 mm

  • 内存宽度

    16

  • 待机电流-最大值

    0.00001 A

  • 记忆密度

    8192 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 内存IC类型

    EEPROM

  • 串行总线类型

    MICROWIRE

  • 耐力

    1000000 Write/Erase Cycles

  • 写入周期时间 - 最大值

    10 ms

  • 数据保持时间

    10

  • 写入保护

    SOFTWARE

  • 宽度

    4.4 mm

  • 长度

    5 mm

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