ROHM Semiconductor BR95010-WDW6TP
- 收藏
- 对比
BR95010-WDW6TP
2078-BR95010-WDW6TP
存储器
4-SMD, No Lead
大陆
立即发货

EEPROM SPI 1K BIT 128 X 8 3.3V/5V 8PIN
1最小包装量--
BR95010-WDW6TP详情
ROHM Semiconductor BR95010-WDW6TP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
终端数量
8
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
TSSOP, TSSOP8,.25
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
1000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP8,.25
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BR95010-WDW6TP
Clock Frequency-Max (fCLK)
5 MHz
Number of Words
1024 words
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.84
Part Package Code
TSSOP
操作温度
0°C ~ 70°C
系列
SXT214
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
JESD-609代码
e3/e2
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
兆赫晶体
端子表面处理
TIN/TIN COPPER
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
EEPROMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
频率
48 MHz
频率稳定性
±25ppm
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
ESR(等效串联电阻)
60 Ohms
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
3/5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.5 V
负载电容
10pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±15ppm
电源电流-最大值
0.002 mA
组织结构
1KX1
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
1
待机电流-最大值
0.000001 A
记忆密度
1024 bit
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
EEPROM
串行总线类型
SPI
耐力
1000000 Write/Erase Cycles
写入周期时间 - 最大值
5 ms
数据保持时间
40
写入保护
HARDWARE/SOFTWARE
座位高度(最大)
0.020 (0.50mm)
宽度
3 mm
长度
4.4 mm
BR95010-WDW6TP拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。