ROHM Semiconductor BRCB064GWZ

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SOIC

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Power Dissipation (Max)

3W (Ta)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

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包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

16 mOhm @ 11A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4750pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

场效应管特性

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