ROHM Semiconductor BRCF016GWZ-3E2
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BRCF016GWZ-3E2
2078-BRCF016GWZ-3E2
存储器
4-XFBGA, CSPBGA
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WL-CSP EEPROM
--最小包装量--
BRCF016GWZ-3E2详情
ROHM Semiconductor BRCF016GWZ-3E2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-XFBGA, CSPBGA
表面安装
YES
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Cut Tape (CT)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
电压 - 供电
1.7V~5.5V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.4mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B4
电源电压-最大值(Vsup)
5.5V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
16Kb 2K x 8
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1MHz
内存格式
EEPROM
内存接口
I2C
组织结构
2KX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
5ms
记忆密度
16384 bit
并行/串行
SERIAL
串行总线类型
I2C
写入周期时间 - 最大值
5ms
长度
0.86mm
座位高度(最大)
0.35mm
宽度
0.84mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BRCF016GWZ-3E2拓展信息
ROHM Semiconductor
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