ROHM Semiconductor BU26TD3WG-GTR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

134-TFBGA

表面安装

YES

供应商器件包装

134-TFBGA (10x11.5)

终端数量

5

Package

Tray

厂商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Package Description

2.9 X 2.8 MM, 1.25 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSOP-5

Package Style

SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Input Voltage-Max

6 V

Manufacturer Part Number

BU26TD3WG-GTR

Package Code

LSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Input Voltage-Min

1.7 V

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.7

操作温度

-40°C ~ 85°C (TC)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.39.00.01

技术

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

电压 - 供电

1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

功能数量

1

端子间距

0.95 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G5

内存大小

2Gbit

时钟频率

533 MHz

访问时间

5.5 ns

内存格式

DRAM

内存接口

HSUL_12

座位高度-最大

1.25 mm

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

输出电压1-最大值

2.727 V

输出电压1-最小值

2.673 V

调节器类型

固定正向单输出LDO稳压器

输出电流1-最大值

0.2 A

压差电压1-最大值

0.5 V

工作温度TJ-Max

125 °C

输出电压1-正常值

2.7 V

组织的记忆

128M x 16

宽度

1.6 mm

长度

2.9 mm