ROHM Semiconductor BU4S66G2-BZSTR
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BU4S66G2-BZSTR
2078-BU4S66G2-BZSTR
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BU4S66G2-BZSTR详情
ROHM Semiconductor BU4S66G2-BZSTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
Voltage Rating (DC)
200 V
RoHS
Compliant
容差
10 %
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
电容量
10 pF
深度
800 µm
电介质
C0G
长度
1.6 mm
BU4S66G2-BZSTR拓展信息







哦! 它是空的。