ROHM Semiconductor BU90055GWZ-E2
- 收藏
- 对比
BU90055GWZ-E2
2078-BU90055GWZ-E2
无类别的
--
大陆
立即发货

BU90055GWZ-E2 datasheet pdf and Unclassified product details from ROHM Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
BU90055GWZ-E2详情
ROHM Semiconductor BU90055GWZ-E2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
2
Voltage, Rating
50 V
RoHS
Compliant
包装
Bulk
容差
1 %
终端
Radial
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
电容量
3.9 nF
深度
2.34 mm
螺纹距离
8.255 mm
电介质
C0G
失败率
0.1 %
特征
Military
宽度
2.3368 mm
高度
3.25 mm
长度
6.6 mm
座位高度(最大)
4.445 mm
器件厚度
2.34 mm
辐射硬化
无
BU90055GWZ-E2拓展信息







哦! 它是空的。